우리 나라 과학연구팀이 근자에 회티탄석(钙钛矿) LED 연구령역에서 중대한 돌파를 이룩했다. 복사복합 속도를 가속화해 형광량자 효과를 현저히 제고함으로써 회티탄석 LED 외부 량자효과가 30%를 넘어서 산업화 수준 실현에 접근했다. 관련 연구성과를 담은 론문이 국제학술지 《자연》에 발표됐다.

회티탄석 반도체 재료인 LED는 신흥 박막 LED의 일종으로서 가공공예가 간편하고 량도와 능률이 높은 등 특성을 가지고 있다. 근년에 광전기 연구령역에서 각광을 받으면서 세계 발광과 형광（发光，显示） 기술경쟁의 초점으로 되였다.

회티탄석 발광재료는 3차원, 저차원으로 나뉜다. 그중 3차원 회티탄석은 고량도하의 고발광을 실현하는데 가장 잠재력이 있어 미래에 발광, 형광 기술이 산업화를 실현하는 데 중대한 의의를 가지고 있다. 하지만 3차원 회티탄석 LED 외부 량자능률은 보편적으로 20% 정도에 머물러있어 총체적 성능을 끌어올리는 데 어려움이 있었다.

3차원 회티탄석 재료의 형광량자 능률을 높이는 이 세계적 난제를 해결하기 위해 연구팀은 새로운 길을 개척했다. 결정체 생장을 통제하는 방법으로 복사복합 속도가 더 빠른 회티탄석 결정체 상태를 생성함으로써 형광량자 능률을 현저히 높일 수 있는 새로운 공예를 창조적으로 제기했다.

연구팀은 이 혁신적인 방법을 응용해 3차원 회티탄석의 마이크론구조를 성공적으로 유지함으로써 부품의 광추출 능률이 영향을 받지 않으면서 두개의 관이 함께 작용하는 효과에 도달했다. 하여 96%의 형광량자 능률과 32%의 광추출 능률이 실현되고 외부량자 능률이 30%를 넘는 고효능 회티탄석 LED를 더 준비할 수 있게 됐다.

이 중대한 돌파는 회티탄석 반도체 재료 박막 LED 기술을 바탕으로 한 거대한 잠재력을 더한층 과시했다. 이는 향후 회티탄석 LED 형광기술의 산업화 발걸음을 추동할 것으로 기대를 모으는 동시에 고능률 록색조명 령역에서 광범위하게 응용될 전망을 암시하고 있다.　

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